[VIP第1年] 指数:3
供电电压；AC380V/±10%；频率；50Hz；电流；73A；温度；18-25℃；相对湿度；40-60%；厂务需求洁净压缩空气，压力；0.5-0.7Mpa；环境洁净度；优于10万级，设备附近无酸碱腐蚀性气体；重量；10000KG（激光主机+上下料机）安全⻔：设备装有激光防护安全观察窗，并装有安全⻔保护开关。当安全⻔保护开关打开时，设备立即停止动作处于暂停状态，激光器处于关闭状态；当安全⻔保护开关关闭时，设备处于正常生产运行状态。急停开关：当设备出现故障时，可按急停按钮，设备停止运行。TOPCon SE 设备，为光伏产业带来更高效、更环保的解决方案。上海激光直掺光伏是什么
TOPConSE设备提高了生产效率和电池性能，为大规模制造提供有力支持。其采用硼硅玻璃作为掺杂源，通过一系列工艺步骤实现在硅片上形成高硼掺杂的P++层。这一过程确保了硼掺杂的准确性和均匀性，进而提升了电池性能和稳定性。在形成P++层后，设备采用不进行常规氧化的策略，而是依赖P++层作为激光掺杂源。这一创新决策不仅简化了工艺流程，还显著提高了生产效率。通过使用激光技术对硅片进行掺杂和选择性氧化，TOPConSE设备实现了高效、精确的硼原子掺入硅基体中。同时，激光选择性地对特定区域进行氧化，形成关键的隧穿氧化层和多晶硅层。这一重要技术使TOPCon太阳能电池具备更高的光电转换效率和稳定性。总之，TOPConSE设备的创新工艺为高效、大规模生产TOPCon太阳能电池提供了有力支持，推动了光伏技术的进一步发展。湖南TOPCon晶硅光伏是什么TOPCon SE 设备，独特的结构设计和材料选择，确保长期稳定运行。
设备组成
设备主要由上下料机、激光主机（含激光器）、除尘机等组成激光主机的主要部件：
1)激光器系统；
2)CCD定位系统及软件；
3)光路系统；
4)激光离线检测系统；
5)人机界面操作系统及控制程序；
6)上下料系统；
7)高速振镜扫描系统；
8)工位承载输送系统；
9)激光标记图形编辑软件系统；
10)设备基座及配套结构；
整个主机负责花篮的输送、横移、升降，硅片的输送、缓存、上下料、CCD定位、激光标记等。
1)花篮升降横移模组升降模组：由带刹⻋装置的伺服电机配合螺纹丝杆，带动花篮上下运动，刹⻋装置可保证在掉电状态下花篮位置不会改变。横移模组：由电机驱动同步带，带动花篮平稳横向移动，用于空花篮在上下料之间转存。
2)硅片输送模组硅片输送模组皮带输送装置可平稳轻柔地将硅片输送至缓存机构和空花篮中。皮带输送模组由步进电机、聚氨酯定制皮带以及主从动轮组成，确保硅片在平皮带线上快速稳定运输。
3)对中校正机构由同步带带动两侧滚轮同时向中间运动，用来导正硅片的位置，保证其位置精度。
4)硅片缓存机构由带锁紧装置的丝杠电机构成，可缓存25片硅片以上。
5)硅片抓取上下料模组
设备简介
TOPCon激光设备（型号：HL-KZPCNS-HO），该激光系统用于选择性激光加工工艺。设备使用双轨设置，每条单轨配置相应的激光器标记系统，具备较高的产能与生产灵活性。
此设备支持自动上下料系统，可满足客户现场AGV系统对接要求，花篮从AGV自动上料至激光设备的上料输送皮带，经自动取料机构从花篮取出硅片后，直接输送到后端的激光标记工位，然后通过CCD视觉定位后进行激光标记，标记完成后的硅片经由下料输送皮带输送到下料花篮，满料后再由输送皮带输送到现场对接的AGV。 设备操作简单，维护方便，能够大幅度减少人工干预和操作难度，提高生产自动化水平。
激光M2：该参数表示激光的光束质量。M2值越接近1，光束质量越好，光束越窄。≤1.2的M2值表明该激光器具有较好的光束质量和聚焦性能。功率稳定性：≤2%的功率稳定性意味着激光器的输出功率非常稳定，波动很小。这有助于确保激光加工的一致性和可靠性。脉冲能量稳定性：≤2%RMS的脉冲能量稳定性表示每个脉冲的能量都是相对稳定的。这有助于确保加工过程中的能量一致性，从而获得更好的加工效果。光斑形状：方形光斑意味着激光能量在光斑内均匀分布，有助于提高加工质量和效率。线宽：70-100um的可定制线宽范围意味着可以根据不同的加工需求调整线宽大小，实现精细或大面积的加工。图形重复精度：≤±15um的图形重复精度意味着激光器能够高精度地重复加工相同的图形或模式，这对于高精度加工应用至关重要。扫描速度：50m/s的扫描速度非常快，能够大幅度提高加工效率。TOPCon激光直掺工艺在生产中操作简便，降低对操作人员的技能要求，便于快速投产。江苏光伏定制
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硼硅玻璃（BSG）作为掺杂源：硼硅玻璃是一种含有高浓度硼的玻璃材料，它可以作为TOPCon太阳能电池的掺杂源。使用BSG作为掺杂源可以确保硼掺杂的准确性和均匀性，从而提高电池的性能和稳定性。通过扩散炉推进高硼表面浓度的P++层：在TOPConSE设备的工艺流程中，首先使用扩散炉将硼硅玻璃中的硼元素扩散到硅片表面，形成高硼掺杂的P++层。它决定了硼掺杂浓度和分布。不进行氧化：在形成P++层之后，通常需要进行氧化工艺以保护硅片表面。但是，在TOPConSE设备中，选择不进行氧化操作，而是依赖P++层作为激光掺杂源。这一决策简化了工艺流程并提高了生产效率。上海激光直掺光伏是什么
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