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组件的电阻有并联电阻和串联电阻之分：串联电阻影响太阳电池的正向伏安特性，使得正向偏压较低时电流大于理想值，正向偏压增大时伏安特性偏离**关系；并联电阻产生的漏电流影响反向特性和正向小偏压特性，使正向偏压较低时电流大于理想值，使反向电流不能饱和，在反向偏压较大时电流电压偏离**关系。另一方面，并联电阻Rsh影响太阳电池开路电压，Rsh减小会使开路电压降低，吉林薄膜太阳能电池片好坏，但对短路电流基本没有影响；串联电阻Rs影响短路电流，吉林薄膜太阳能电池片好坏，吉林薄膜太阳能电池片好坏，Rs增大会使短路电流降低，而对开路电压没有影响；Rsh的减小和Rsh的增大都会使太阳电池的填充因子和光电转换效率降低。单晶硅太阳能电池片和多晶硅太阳能电池片的区别！吉林薄膜太阳能电池片好坏
多晶硅(p-Si)熔融硅在顺控条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。结晶后的多晶硅经开方、倒角、切片等一系列的工艺加工后的成品硅片即为多晶硅片多晶硅片的表观为深蓝色的方片单晶硅(c-Si)以高纯度多晶硅为原料在单晶炉中被熔化为液态在单晶种（籽晶）上结晶而成由于其晶体的原子和分子以同一方向（晶向）周期性地整齐排列所以称为单晶硅。单晶硅棒经截断、取方、切片后得到的成品硅片即为单晶硅片单晶硅片表观为金属灰色的准方片单晶硅电池光电转换率较高可,但价格较高。多晶硅电池价格相对较低转换效率也相对低些。但多晶硅片的产量、规模较单晶硅易扩大。 吉林双晶太阳能电池片的尺寸太阳能电池片连接问题！
扩散制结太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可大于10ms。制造PN结是太阳电池生产较基本也是较关键的工序。因为正是PN结的形成，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线将电流引出，就是直流电。
太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测--表面制绒及酸洗--扩散制结--去磷硅玻璃--等离子刻蚀及酸洗--镀减反射膜--丝网印刷--快速烧结等。具体介绍如下:一、硅片检测硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。二、表面制绒单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20~25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。 单晶和多晶太阳能电池的区别!
到在常温不同日照时，当光照强度为200W/m2时，太阳电池最大功率点电压为380V，当光照强度为1000W/m2时，太阳电池最大功率点电压约为420V。在光照强度为1000W/m2时，当电池表面温度为50℃时，最大功率点发生在电压为380V处，温度为25℃时，最大功率点发生在电压为520V处。由此可知，如果不采用控制方法，当光照强度和温度发生改变时，太阳电池是不可能工作在当前情况下的最大功率点的。最大功率和输出功率是有区别的，目前单晶电池片的输出功率单片都在2.5W左右太阳能电池的主要参数.安徽薄膜太阳能电池片焊接
太阳能电池片规格单位是什么？吉林薄膜太阳能电池片好坏
通常意义上烧结是将粉末或粉末压坯加热到低于其中基本成分的熔点的温度，然后以一定的方法和速度冷却到室温的过程。烧结的结果是粉末颗粒之间发生粘结，烧结体的强度增加，把粉末颗粒的聚集体变成为晶粒的聚结体，从而获得所需的物理、机械性能的制品或材料。太阳能电池片的烧结方法于此类似，烧结是和丝网工序密不可分的一个部分，烧结的好坏也直接影响丝网印刷的好坏，烧结的过程主要是将丝网印刷好了的正负电极在高温的作用下与硅片形成良好的接触——欧姆接触，从而提高太阳能电池片的开路电压和填充因子，同时烧结炉内的高温可以促使镀膜工艺过程中产生的H向电池内部扩散，对太阳能电池片有良好的钝化作用，提高太阳能电池的转换效率。吉林薄膜太阳能电池片好坏
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