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太阳能分为晶硅电池和非晶硅电池，晶硅电池分为多晶和单晶硅电池（尺寸有125和156两种），非晶硅薄膜电池按原料分很多种：砷化镓、碲化镉、铟铜镓锡等等！！单晶效率（18-19%）比多晶高（16.5%-17.5%),单晶成本比多晶高，北京单晶硅太阳能电池片栅线!晶体硅电池成本比非晶硅电池高，效率也比非晶硅（9%-11%）高，但非晶硅比晶体硅有特色：比如非晶柔性电池、透光效果等，是晶体硅做不到的！太阳能电池比较大的优点是绿色，北京单晶硅太阳能电池片栅线、环保，北京单晶硅太阳能电池片栅线、寿命长（60年），缺点是投资大、资源间歇性！单晶硅太阳能电池片和多晶硅太阳能电池片的区别！北京单晶硅太阳能电池片栅线
大面积的太阳能电池板，差不多2平方米的太阳直射能提供约2000w的功率，但是民用太阳能电池板一般只能提供10%～15%的转换效率也就是说一平方的太阳能电池板只能提供200w～300w，而且还是必须是直射，由于个人很难安装24小时自动准太阳角度的设备，所以实际效率还会更低。弄得不好的话估计也就能提供100～150w的平均功率单晶125R150,的面积是14871平方mm多晶156是24336平方mm也就是长X宽等于面积太阳能电池板哪家公司做的好，无锡萨克特给您答案，欢迎您的来电！！！吉林双晶硅太阳能电池片太阳能电池片PE工序有辐射吗？
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太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测--表面制绒及酸洗--扩散制结--去磷硅玻璃--等离子刻蚀及酸洗--镀减反射膜--丝网印刷--快速烧结等。具体介绍如下:一、硅片检测硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。二、表面制绒单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20~25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。 太阳能电池片并联电阻是多少?
太阳能电池片的生产工艺流程分为硅片检测——表面制绒及酸洗——扩散制结——去磷硅玻璃——等离子刻蚀及酸洗——镀减反射膜——丝网印刷——快速烧结等。具体介绍如下：一，硅片检测硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。二、表面制绒单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率三、扩散制结太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的设备四、去磷硅玻璃该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中，通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡，使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸，以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。五、等离子刻蚀由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。因此，必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀，以去除电池边缘的PN结。 太阳能电池片一般需要什么价格?吉林双晶硅太阳能电池片
太阳能电池片的生产工艺?北京单晶硅太阳能电池片栅线
太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可大于10ms。制造PN结是太阳电池生产基本也是**关键的工序。因为正是PN结的形成，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线将电流引出，就是直流电。北京单晶硅太阳能电池片栅线
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