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多晶硅薄膜太阳能电池
通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350～450μm的高质量硅片上制成的，这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。因此实际消耗的硅材料更多。为了节省材料，人们从70年代中期就开始在廉价衬底上沉积多晶硅薄膜，但由于生长的硅膜晶粒大小，未能制成有价值的太阳能电池。为了获得大尺寸晶粒的薄膜，人们一直没有停止过研究，并提出了很多方法。目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积（LPCVD）和等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺。此外，液相外延法（LPPE）和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜电池。化学气相沉积主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4，黑龙江焊带太阳能电池片公司,为反应气体,在一定的保护气氛下反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上，黑龙江焊带太阳能电池片公司，衬底材料一般选用Si，黑龙江焊带太阳能电池片公司、SiO2、Si3N4等。
多晶硅太阳电他的出现主要是为了降低成本，其优点是能直接制备出适于规模化生产的大尺寸方型硅锭，设备比较简单，制造过程简单、省电、节约硅材料，对材质要求也较低。晶界及杂质影响可通过电池加工工艺进行改善；由于材质和晶界影响，电池效率较低。电池工艺主要采用吸杂、钝化、背场等技术。
常规铝吸杂工艺是在电池的背面蒸镀铝膜后经过烧结形成，也可同时形成电池的背场。近几年在吸杂上的工作证明，它对***单晶硅太阳电池及多晶硅太阳电池都会产生一定的作用。
钝化是提高多晶硅质量的有效方法。一种方法是采用氢钝化，钝化硅体内的悬挂键等缺点。在晶体生长中受应力等影响造成缺点越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用PECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可产生氢钝化的效果。
在***太阳电池上常采用表面氧钝化的技术来提高太阳电他的效率，近年来在光伏级的晶体硅材料上使用也有明显的效果，尤其采用热氧化法效果更明显。使用PECVD法在更低的温度下进行表面氧化，近年来也被使用，具有一定的效果。
现在工业生产太阳能电池片的硅片，都是P型衬底，意思是之前已经掺杂三族元素了，我们只需要进行磷扩散，就可以形成P-N结。
以n型半导体为底板结构的结晶硅类太阳能电池与以p型半导体为底板的结构相比，前者对杂质的抵抗性更大，在理论上更易提高能量转换效率。不过，此前许多结晶硅类太阳能电池几乎都采用以p型半导体为底板的结构。原因是在较厚的p型半导体上能够形成非常薄的n型半导体层。
德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所（Fraunhofer ISE）宣布，该机构研制的以n型半导体为底板，然后在其上面形成较薄的p型半导体层的单晶硅太阳能电池，其能量转换效率达到了23.4％。太阳能电池单元面积为2cm见方。
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