以 N 型硅片为基础,有望演化出多条 N 型电池发展方向,光伏电池片制备工艺向半导体升级。从技术路线发展来看,由于 P 型电池片的转换效率提升存在瓶颈,P 型电池片向 N 型电池片转型或势在必行。目前 N 型电池片技术主要包括 N-Pert、TopCon、异质结和 IBC 四大技术方向。光伏发电基于光生伏特原因,机理和半导体接近,辽宁新能源光伏组件玻璃,随着电池制备技术的升级,光伏电池工艺逐步向半导体工艺升级。
单晶替代多晶推动光伏完成平价上网进程,辽宁新能源光伏组件玻璃,从 P 型向 N 型跨越迎来下一次光伏技术**。从历史来看,得益于单晶硅片取代多晶硅片的大趋势,辽宁新能源光伏组件玻璃,单晶硅片厂商过去几年的产能和销量增长远高于行业新增装机增长。从当前产能布局来看,单晶产品渗透率或即将达到瓶颈,后续单晶硅片渗透率提升所带来的超额收益或将减少。但是随着N 型硅片技术路线的逐步确认,N 型产品渗透率提升或将带来下一轮新的超额收益。积极布局 N 型硅片,并实现 N 型硅片的降本增效或是当前硅片厂商的当务之急。
2.1 极限转换效率达到 28.7%,量产转换效率突破 23%
TopCon 电池理论极限效率为 28.7%,高于异质结和 PERC。ISFH 的研究结果表明, 基于载流子选择性的概念对太阳能电池的理论效率进行分析,采用钝化接触电池结构,如TopCon 此类电池的极限效率是28.2%~28.7%,高于异质结(27.5%)和perc(24.5%),非常接近晶体硅太阳能电池的极限效率,29.43%。
2) 低压硼扩选择性掺杂技术
硼源在炉管内及硅片表面分布更加均匀,扩散后方阻均匀性好。另外沉积时间短,可将工艺时间缩短至 90 分钟以内,***降低高温对硅片寿命的损伤;
3) 化学回蚀清洗技术
采用缓冲型化学回蚀体系,反应速度精确可控,同时化学回蚀溶液具有差异化刻蚀功能,可有效保持重掺杂和轻掺杂区域的方阻梯度;
4) 异质膜钝化减反技术
电池正表面减反膜采用多层介质膜组成的异质膜,异质膜与常规 SiO2/SiNx 叠层膜相比具有更加好的减反射性能和钝化性能。异质膜可以将电池前表面的反射率降低到~1%,SiO2/SiNx 叠层膜反射率为~3%,异质膜技术可以降低电池的电流损失;此外,采用异质膜技术钝化的 n 型硅片的有效少子寿命可以达到~7 ms, 而采用SiO2/SiNx 叠层膜钝化的相同电阻率n 型硅片的有效少子寿命为~0.7 ms, 异质膜技术可以***降低电池表面的复合损失。
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