[VIP第1年] 指数:3
Pmpp：比较大工作功率； Umpp：比较大工作电压； Impp：比较大工作电流；
对于设计好芯片结构的太阳能电池，吉林双晶太阳能电池片栅线，每一步的工序都影响着它的性能。其中半导体材料本身的质量影响着少子寿命的大小，从而影响着太阳能电池的量子效率，吉林双晶太阳能电池片栅线。
Pmpp：比较大工作功率； Umpp：比较大工作电压； Impp：比较大工作电流；
对于设计好芯片结构的太阳能电池，吉林双晶太阳能电池片栅线，每一步的工序都影响着它的性能。其中半导体材料本身的质量影响着少子寿命的大小，从而影响着太阳能电池的量子效率。
多晶硅薄膜太阳能电池
通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350～450μm的高质量硅片上制成的，这种硅片从提拉或浇铸的硅锭上锯割而成。因此实际消耗的硅材料更多。为了节省材料，人们从70年代中期就开始在廉价衬底上沉积多晶硅薄膜，但由于生长的硅膜晶粒大小，未能制成有价值的太阳能电池。为了获得大尺寸晶粒的薄膜，人们一直没有停止过研究，并提出了很多方法。目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积（LPCVD）和等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺。此外，液相外延法（LPPE）和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜电池。化学气相沉积主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4,为反应气体,在一定的保护气氛下反应生成硅原子并沉积在加热的衬底上，衬底材料一般选用Si、SiO2、Si3N4等。
漏电原因有很多，以下简单介绍几种：
1. 印刷铝浆时网版的漏浆及承印面感光纸没有及时更换所致；
2. 镀膜面有杂质，印刷时和电极重合，在高温烧结时进入PN结导致漏电；
3. 银浆长期暴露于空气中，印刷过程中有杂质混入；
4. 烧结温度过高或硅片本身制绒过深，烧结时造成烧穿，导致漏电；
5. 硅片传递过程中受到污染；
6. 扩散的P很薄或没有扩散，导致正电极和背电场导通，造成漏电大。
以上为常见几种，还有其它的在生产实践中你会慢慢了解的。
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