[VIP第1年] 指数:3
似乎PID是喷气推进实验室（JPL）于1985年***报道的晶体硅（c-Si）模块和非晶硅（a-Si）薄膜模块，黑龙江多晶光伏组件价格。在21世纪初，国家研究能源实验室（NREL），黑龙江多晶光伏组件价格，佛罗里达太阳能中心（FSEC）和BP太阳能在各种类型的光伏组件上研究了高系统电压应力的潜在风险。后来，在SunPower的德国室外测试阵列（2005年）和Evergreen的标准模块中观察到了SunPower的后结n型c-Si光伏组件，该模块采用了带状铸造硅片（2008年）。**近，PID受到了相当多的关注。自2010年以来，世界各地的光伏研究机构对常规p型c-Si光伏组件的PID进行了大量研究，其中术语“PID”由Pingel 等人提出。在许多研究中，种不同类型的薄膜模块也在高压应力下进行了可靠性测试。此外，在2009 - 2012年期间，新加坡太阳能研究所（SERIS）对十种不同类型的商用光伏组件（薄膜和c-Si光伏组件）进行了可靠性研究，并阐明了相关的PID灵敏度。各种商业吸收技术。
尽管在理解光伏组件中的PID方面取得了重大进展，黑龙江多晶光伏组件价格，但仍有许多问题仍未得到解决。PID的复杂性也为研究人员解决这些问题带来了严峻挑战。PID效应受许多因素的影响，例如太阳能电池的抗反射（AR）涂层，装材料，模块结构（例如框架或无框架）和系统拓扑的特性。
3、降本空间大
使用低温工艺（＜250℃），避免采用传统的高温（＞900℃）扩散工艺获得 p-n 结。三个角度降本，1、节约能源；2、硅片减薄。低温沉积过程中，单晶硅片弯曲变形小，因而其厚度可以采用本底光吸收材料所要求的比较低值（约 80μm，现在 Perc 硅片厚大概是200μm）；3、低温过程消除了硅衬底在高温中的性能退化，从而允许采用“低品质”的晶体硅甚至多晶硅来做衬底。
4、发电增益
Perc 电池存在光致衰减问题，衰减承诺一般为 10 年衰减 10%以内，异质结光致衰减率低、具备正温度特性（高温环境下发电量提高）、双面率高（电池背面效率与正面效率之比），产***电增益预估在 10%左右。
3.1 设备国产化加速，行业**进入加快产业化进程
**设备国产化进程加速，设备降本空间大。2019 年以来，国产设备厂商相继进入异质结环节，从目前**息来看，捷佳伟创、迈为、钧石均有布局。
· 捷佳伟创一直致力于异质结电池设备的开发，目前已具备湿法制程、RPD 制程、金属化制程三道工序的**装备，其中 RPD 设备使用的是获得住友重工(中国大陆地区)***授权后进行研发制造的**工艺设备。
· 钧石能源自主研发了PECVD 和PVD 设备，PECVD 设备采用独特的RF电极设计，辉光电极间隙可调，低功率起辉稳定，载板温度均匀性好，沉积的薄膜厚度均匀；PVD 双面沉积设备，靶材利用率提高至 80%，维护时间减少 40%。
· 迈为股份为国内丝网印刷**，凭借丝网印刷设备优势进入异质结环节，目前PECVD 和 TCO 镀膜关键均有布局。
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