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太阳能电池片加工中的掺杂与扩散原理的原理：
半导体的掺杂扩散，主要是依靠了离子从高浓度像低浓度区域扩散的原理。在太阳能的硅片中，把杂质原子的气相源靠近硅片，加热后，使其慢慢扩散，杂质原子会慢慢的深入硅片中，浓度从硅片边缘到内部是逐渐降低的，北京薄膜太阳能电池片功率。
半导体中的掺杂是指在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料，由此制出各式各样的半导体器件，北京薄膜太阳能电池片功率，北京薄膜太阳能电池片功率。在一些无机固体化合物中掺入不同的金属离子，可以得到不同性质的发光材料，如氧化钇(III)中掺入铕(III)离子可以得到发红光的荧光材料。 太阳能电池片并联电阻是多少?北京薄膜太阳能电池片功率
到在常温不同日照时，当光照强度为200W/m2时，太阳电池最大功率点电压为380V，当光照强度为1000 W/m2时，太阳电池最大功率点电压约为420V。在光照强度为1000 W/m2时，当电池表面温度为50℃时，最大功率点发生在电压为380V处，温度为25℃时，最大功率点发生在电压为520V处。由此可知，如果不采用控制方法，当光照强度和温度发生改变时，太阳电池是不可能工作在当前情况下的最大功率点的。
最大功率和输出功率是有区别的，目前单晶电池片的输出功率单片都在2.5W左右 辽宁双晶太阳能电池片一片多少钱太阳能电池单片体积是多大？
四、去磷硅玻璃
该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中，通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡，使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸，以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。在扩散过程中，POCL3与O2反应生成P2O5淀积在硅片表面。P2O5与Si反应又生成SiO2和磷原子，这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。去磷硅玻璃的设备一般由本体、清洗槽、伺服驱动系统、机械臂、电气控制系统和自动配酸系统等部分组成，主要动力源有氢氟酸、氮气、压缩空气、纯水，热排风和废水。氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸与二氧化硅反应生成易挥发的四氟化硅气体。若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。
二、表面制绒
单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。 太阳能电池片最大功率是多少？
多晶硅太阳电他的出现主要是为了降低成本，其优点是能直接制备出适于规模化生产的大尺寸方型硅锭，设备比较简单，制造过程简单、省电、节约硅材料，对材质要求也较低。晶界及杂质影响可通过电池加工工艺进行改善；由于材质和晶界影响，电池效率较低。电池工艺主要采用吸杂、钝化、背场等技术。
常规铝吸杂工艺是在电池的背面蒸镀铝膜后经过烧结形成，也可同时形成电池的背场。近几年在吸杂上的工作证明，它对***单晶硅太阳电池及多晶硅太阳电池都会产生一定的作用。
钝化是提高多晶硅质量的有效方法。一种方法是采用氢钝化，钝化硅体内的悬挂键等缺点。在晶体生长中受应力等影响造成缺点越多的硅材料，氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用PECVD法镀上一层氮化硅减反射膜，由于硅烷分解时产生氢离子，对多晶硅可产生氢钝化的效果。
在***太阳电池上常采用表面氧钝化的技术来提高太阳电他的效率，近年来在光伏级的晶体硅材料上使用也有明显的效果，尤其采用热氧化法效果更明显。使用PECVD法在更低的温度下进行表面氧化，近年来也被使用，具有一定的效果。 太阳能电池片Eta17.9%代表什么？北京单晶硅太阳能电池片分类
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多晶硅(p-Si)
熔融硅在顺控条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。
结晶后的多晶硅经开方、倒角、切片等一系列的工艺加工后的成品硅片即为多晶硅片
多晶硅片的表观为深蓝色的方片
单晶硅(c-Si)
以高纯度多晶硅为原料在单晶炉中被熔化为液态在单晶种（籽晶）上结晶而成由于其晶体的原子和分子以同一方向（晶向）周期性地整齐排列所以称为单晶硅。
单晶硅棒经截断、取方、切片后得到的成品硅片即为单晶硅片
单晶硅片表观为金属灰色的准方片
单晶硅电池光电转换率较高可,但价格较高。多晶硅电池价格相对较低转换效率也相对低些。但多晶硅片的产量、规模较单晶硅易扩大。 北京薄膜太阳能电池片功率
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